Title:
温度管理強化型半導体ダイアセンブリ、それを含む半導体デバイスおよび関連方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2014533440
Kind Code:
A
Abstract:
半導体ダイアセンブリは、積層された複数の半導体ダイスを含む。別の半導体ダイは、積層に隣接しており、相対的により高い電力密度領域を含んでもよく、また、積層を越えて周辺部に伸びる領域を備える。導電要素は、積層中の半導体ダイスの集積回路およびもう一方の半導体ダイの集積回路の間に伸び、また、これらを電気的に相互接続する。熱ピラーは、積層の半導体ダイス間に挿入され、リッドなどの熱放散構造は、積層の最上段ダイおよびもう一方の半導体ダイの高い電力密度領域と熱接触する。半導体ダイアセンブリ内の熱伝達を管理する他のダイアセンブリ、半導体デバイスおよび方法も開示される。【選択図】図１
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Inventors:
ルオ，シジアン
リ，シヤオ
リ，ジアン
リ，シヤオ
リ，ジアン
Application Number:
JP2014541395A
Publication Date:
December 11, 2014
Filing Date:
November 13, 2012
Export Citation:
Assignee:
マイクロン テクノロジー， インク．
International Classes:
H01L25/065; H01L23/36; H01L25/07; H01L25/18
Domestic Patent References:
| JP2010251427A | 2010-11-04 | |||
| JP2006210892A | 2006-08-10 | |||
| JP2009246258A | 2009-10-22 | |||
| JP2010251427A | 2010-11-04 | |||
| JP2006210892A | 2006-08-10 |
Foreign References:
| US7800138B2 | 2010-09-21 | |||
| WO2008108335A1 | 2008-09-12 | |||
| US7800138B2 | 2010-09-21 | |||
| WO2008108335A1 | 2008-09-12 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshiyuki Osuge
Yasuhisa Nomura
Yasuhisa Nomura