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Title:
特にマイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光影響光学配置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015505169
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光影響光学配置に関する。本発明の開示の態様により、偏光影響光学配置は、光学的ポジティブ単軸結晶材料からなる少なくとも1つの第1の部分要素(111、311、411)及び光学的ネガティブ単軸結晶材料からなる少なくとも1つの第2の部分要素(112、312、412)を含む第1のリターデーション要素(110、310、410)と、光学的ポジティブ単軸結晶材料からなる少なくとも1つの第3の部分要素(121、321、421)及び光学的ネガティブ単軸結晶材料からなる少なくとも1つの第4の部分要素(122、322、422)を含む第2のリターデーション要素(120、320、420)とを含み、偏光影響光学配置(100、300、400)の少なくとも1つの構成において、第1のリターデーション要素(110、310、410)の偏光影響効果は、第1の複屈折速軸を有する第1のλ/2板の効果に対応し、第2のリターデーション要素(120、320、420)の偏光影響効果は、第2の複屈折速軸を有する第2のλ/2板の効果に対応し、第1の速軸と第2の速軸の間の角度は、45??5?である。【選択図】図1b

Inventors:
ゼンガー インゴ
シュレゼナー フランク
Application Number:
JP2014551623A
Publication Date:
February 16, 2015
Filing Date:
January 11, 2013
Export Citation:
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Assignee:
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
International Classes:
H01L21/027; G02B5/30; G02B19/00; G03F7/20
Domestic Patent References:
JP2008277815A2008-11-13
JP2008177581A2008-07-31
JPH05188091A1993-07-27
JP2009236839A2009-10-15
Foreign References:
WO2009065819A22009-05-28
WO2011154227A12011-12-15
WO2006040184A22006-04-20
WO2005031467A22005-04-07
Other References:
JPN6016003071; 野村 博: '"特集 最新リソグラフィー技術〜さらなる微細化に向かって/半導体露光装置の照明光の偏光計測"' OPlusE Vol.29、No.9(通巻第334号), 200909, 926頁-933頁
Attorney, Agent or Firm:
辻居 Koichi
Sadao Kumakura
Fumiaki Otsuka
Takayoshi Nishijima
Hiroyuki Suda
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo
Hiroshi Oura