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Title:
リソグラフィ装置用の汚染トラップ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015515141
Kind Code:
A
Abstract:
極端紫外線を生成するように構成された放射源内のプラズマの形成と共に生成されるデブリ粒子を捕捉するように構成された汚染トラップ構成(300)を開示する。汚染トラップは、デブリ粒子を捕捉する羽根構造(310)と、羽根構造を加熱する加熱構成(330)であって、羽根構造と熱伝達する加熱構成(330)と、プラズマの形成の結果として生成される熱を羽根構造から離れるように運ぶ冷却構成(350)と、加熱構成と冷却構成との間のギャップ(370)とを備える。冷却構成は、加熱構成およびギャップを介して羽根構造と熱伝達し、汚染トラップ構成は、ギャップを画定する表面間に制御可能な相対運動を提供することによってギャップの中の流体の熱伝達特性を調整するように動作可能な熱伝達調整構成をさらに備える。【選択図】図3

Inventors:
Reiten, Carlo
Application Number:
JP2015506170A
Publication Date:
May 21, 2015
Filing Date:
April 05, 2013
Export Citation:
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Assignee:
AS M Netherlands B.V.
International Classes:
H01L21/027; H05G2/00
Domestic Patent References:
JP2012502492A2012-01-26
JP2007528607A2007-10-11
JP2007110107A2007-04-26
JP2009010389A2009-01-15
JP2012146613A2012-08-02
JP2013084892A2013-05-09
JP2011222992A2011-11-04
Foreign References:
US20070146659A12007-06-28
US20070115443A12007-05-24
US20110226745A12011-09-22
US20060139604A12006-06-29
US20050199829A12005-09-15
US20060175558A12006-08-10
Attorney, Agent or Firm:
Yoshiyuki Inaba
Toshifumi Onuki