Title:
保護層を中心に有するスピン注入デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015519734
Kind Code:
A
Abstract:
スピン注入デバイス（３０）を製造する方法であって、ａ）環境による基板（１０）の面（１１）の酸化および／または汚染を制限または防止するために、基板（１０）の面（１１）上に金属保護層（２２）を形成するステップであって、面が、磁気および電気伝導性であり、保護層が、反磁性または常磁性であるステップと、ｂ）保護層上に上側層（３２）を形成するステップであって、上側層が、基板および／または基板の面の磁気によって定義される振幅とスピン基準系とにしたがって保護層と上側層との間の界面のフェルミ準位の近くの電子状態のスピンバイアスを促進することが可能であり、上側層は、一つまたは複数の分子部位が、保護層に接して、常磁性モーメントを有する有機層であるステップとを含む方法。
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Inventors:
Bowen, Martin
Alani, Mevalek
Bucari, Sammy
Volper, Eric
Weber, Wolfgang
Schuller, Fabrice
Joli, Loic
Alani, Mevalek
Bucari, Sammy
Volper, Eric
Weber, Wolfgang
Schuller, Fabrice
Joli, Loic
Application Number:
JP2015506197A
Publication Date:
July 09, 2015
Filing Date:
April 15, 2013
Export Citation:
Assignee:
Center Training
Universite de Strasbourg
Universite de Strasbourg
International Classes:
H01L43/06; H01L29/82; H01L43/12
Domestic Patent References:
| JP2010225835A | 2010-10-07 | |||
| JP2007035944A | 2007-02-08 | |||
| JP2007531278A | 2007-11-01 | |||
| JPH10206513A | 1998-08-07 |
Attorney, Agent or Firm:
Shinei Patent Office