半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法及びこれを用いた半導体ウェハ製造システム（ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＳＵＰＰＬＹＩＮＧＩＮＥＲＴＧＡＳＴＯＳＴＢＩＮＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＷＡＦＥＲＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳＹＳＴＥＭＡＮＤＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＷＡＦＥＲＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳＹＳＴＥＭＵＳＩＮＧＴＨＥＳＡＭＥ）

Title:

Document Type and Number:

Japanese Patent JP2015535394

Kind Code:

A

Abstract:

本発明は、フープがＳＴＢにローディングすることを感知して第１の入力信号を発生させるステップ；及び前記第１の入力信号に基づいて、不活性ガスバルブを開放して前記ＳＴＢに窒素ガスを供給するステップを含む、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法及びこれを利用する半導体ウェハ製造システムに関するものである。【代表図】図１

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Inventors:

Yu, Dongkyu
Lee, Jaehyun
Lee, Jun Han
Jeong, Weihan

Application Number:

JP2015539495A

Publication Date:

December 10, 2015

Filing Date:

October 07, 2013

Export Citation:

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Assignee:

Daifuku Co., Ltd.

International Classes:

H01L21/673

Domestic Patent References:

JP2010182747A	2010-08-19
JP2009065113A	2009-03-26
JP2002510150A	2002-04-02

Attorney, Agent or Firm:

Takashi Tsuno
Kato coming
Takeharu Hirabayashi

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