Title:
銅−ガリウムスパッタリングターゲット
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017500438
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、Ｇａ含有量が３０〜６８ａｔ％のＧａ−及びＣｕ−含有スパッタリングターゲットを包含する。このスパッタリングターゲットは、Ｇａ−及びＣｕ−含有金属間化合物相としてＣｕＧａ２のみを含むか、又は、ＣｕＧａ２の体積割合がＣｕ９Ｇａ４の体積割合を上回る。スパッタリングターゲットは好ましくは放電プラズマ焼結法又はコールドスプレー法により製造される。Ｃｕ９Ｇａ４に比べてＣｕＧａ２は格段に柔らかく、均質のスパッタリング反応を示す欠陥の無いスパッタリングターゲットの製造に寄与する。【選択図】なし
Inventors:
Linke, Christian
Scheller, Thomas
Scheller, Thomas
Application Number:
JP2016517379A
Publication Date:
January 05, 2017
Filing Date:
September 26, 2014
Export Citation:
Assignee:
Plansee SA
International Classes:
C23C14/34; B22F1/00; B22F3/087; B22F3/105; B22F3/14; B22F7/04; C22C9/00; C22C28/00; H01L31/0749
Domestic Patent References:
| JP2008138232A | 2008-06-19 | |||
| JP2013142175A | 2013-07-22 | |||
| JP2013076129A | 2013-04-25 | |||
| JP2011149039A | 2011-08-04 |
Foreign References:
| US20130186745A1 | 2013-07-25 | |||
| WO2013054521A1 | 2013-04-18 | |||
| WO2011055537A1 | 2011-05-12 | |||
| WO2012098722A1 | 2012-07-26 |
Attorney, Agent or Firm:
Iwao Yamaguchi
Hiroshi Yamamoto
Hiroshi Yamamoto