Title:
二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018512718
Kind Code:
A
Abstract:
二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムおよび手法が開示される。一例では，二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）システムは試料ステージを含む。一次イオンビームが試料ステージに誘導される。引き込みレンズが試料ステージに向けられる。上記引き込みレンズは試料ステージ上の試料から放出される二次イオンの低引き込み場を提供するように構成される。磁気セクタ分析器がＳＩＭＳシステムの光路に沿う引き込みレンズに結合される。上記磁気セクタ分析器は磁気セクタアナライザ（ＭＳＡ）に結合された静電アナライザ（ＥＳＡ）を含む。
Inventors:
Reid David A.
Schuler Bruno W.
Newcome Blues H.
Smet Rodney
Bevis chris
Schuler Bruno W.
Newcome Blues H.
Smet Rodney
Bevis chris
Application Number:
JP2017560483A
Publication Date:
May 17, 2018
Filing Date:
February 10, 2016
Export Citation:
Assignee:
Nova Measuring Instruments Incorporated
International Classes:
H01J49/32; G01N27/62; H01J37/20; H01J37/252; H01J49/26; H01J49/48; H01L21/66
Domestic Patent References:
| JP2000123783A | 2000-04-28 | |||
| JPS62160650A | 1987-07-16 | |||
| JP2000306866A | 2000-11-02 | |||
| JPH05135738A | 1993-06-01 | |||
| JP2014139980A | 2014-07-31 |
Foreign References:
| US5034605A | 1991-07-23 |
Attorney, Agent or Firm:
Tokyo uit international patent corporation