Title:
Ｌｎ（ＩＩＩ）及びＧａ（ＩＩＩ）のメタラクラウン錯体
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018513157
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、サリチルヒドロキサム酸又はその誘導体のような鋳型配位子により、Ｇａ（ＩＩＩ）及びＬｎ（ＩＩＩ）カチオンを組み込んだヘテロ金属メタラクラウン化合物であって、前記メタラクラウンが少なくとも１つの繰り返し［−Ｇａ−Ｎ−Ｏ−］サブユニットを含有し、前記Ｎ−Ｏが前記鋳型配位子から誘導されている、ヘテロ金属メタラクラウン化合物に関する。
Inventors:
Evan Earl. Tribudi
Vincent El. Pecoraro
Svetlana B. Ericeeva
Stephane Putou
Chun Wai. Chow
Tu Ngoc Nguyen
Jacob Charles Latter
Ivana Martinique
Vincent El. Pecoraro
Svetlana B. Ericeeva
Stephane Putou
Chun Wai. Chow
Tu Ngoc Nguyen
Jacob Charles Latter
Ivana Martinique
Application Number:
JP2017554040A
Publication Date:
May 24, 2018
Filing Date:
April 18, 2016
Export Citation:
Assignee:
The Regents of the University of Michigan
Ecole Polytechnique/Dgar
Ecole Polytechnique/Dgar
International Classes:
C07F19/00; C07C259/10; C07F5/00; G01N21/64
Attorney, Agent or Firm:
Atsushi Aoki
Shinji Mitsuhashi
Naori Kota
Satoshi Deno
Masatoshi Takahashi
Naoki Tanaka
Shinji Mitsuhashi
Naori Kota
Satoshi Deno
Masatoshi Takahashi
Naoki Tanaka
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