Title:
サブトラクティブ金属及びサブトラクティブ金属半導体
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024508912
Kind Code:
A
Abstract:
本開示の実施形態は、概して、サブトラクティブ金属、サブトラクティブ金属半導体構造、サブトラクティブ金属相互接続、並びにこのような半導体構造及び相互接続を形成するためのプロセスに関する。一実施形態では、半導体構造を製造するプロセスが提供される。該プロセスは、半導体構造上でガス抜き処理を実施すること、及び半導体構造上にライナ層を堆積することを含む。該プロセスは、半導体構造上でスパッタ処理を実施すること、及び物理的気相堆積によってライナ層上に金属層を堆積することをさらに含み、ライナ層はＴｉ、Ｔａ、ＴａＮ、又はそれらの組合せを含み、金属層の抵抗率は約３０μΩ・ｃｍ以下である。【選択図】図３Ｂ
Inventors:
Ren, Ho
Jean, Hao
Yiu, Shi
Nike, Mehr Bee.
Jean, Hao
Yiu, Shi
Nike, Mehr Bee.
Application Number:
JP2023553597A
Publication Date:
February 28, 2024
Filing Date:
January 05, 2022
Export Citation:
Assignee:
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
International Classes:
H01L21/3205; H01L21/28; H01L21/285
Attorney, Agent or Firm:
Sonoda & Kobayashi Patent Attorneys Corporation