Title:
積層型半導体蓄電器
Document Type and Number:
Japanese Patent JP3222110
Kind Code:
U
Abstract:
【課題】 本考案は、電極板に多量の電荷を蓄積させる装置の蓄電器の誘電体において、誘電体の大面積成膜およびナノメートル単位の膜厚を積層に設けた蓄電器を提供する。【解決手段】 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜の結晶中に、窒素（Ｎ）やホウ素（Ｂ）をドープした大面積成膜、または少量のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）や微量の酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）をドープした大面積成膜、または少量の酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）をドープした大面積成膜の不純物半導体の誘電体１を挟み、ｐ型内部電極板２またはｎ型内部電極板４を交互に用いて積層に設け、両端にｐ型端子電極３またはｎ型端子電極５を接合構成させた積層型半導体蓄電器。【選択図】図１
Inventors:
Goro Igarashi
Application Number:
JP2019001494U
Publication Date:
July 11, 2019
Filing Date:
April 08, 2019
Export Citation:
Assignee:
Goro Igarashi
International Classes:
H01G4/08; H01G4/30
Domestic Patent References:
| JP2012080052A | 2012-04-19 | |||
| JP2017085106A | 2017-05-18 | |||
| JP2009218528A | 2009-09-24 |
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