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Patent Searching and Data


Title:
半導体素子の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP4267298
Kind Code:
B2
Inventors:
サン-タエ チョイ
ムーン-ウォイ キム
クァン-チュル キム
Application Number:
JP2002325419A
Publication Date:
May 27, 2009
Filing Date:
November 08, 2002
Export Citation:
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Assignee:
株式会社ハイニックスセミコンダクター
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
International Classes:
H01L21/027; G03C5/00; G03F1/68; G03F7/20; G03F9/00
Domestic Patent References:
JP7142309A
JP2001272767A
JP2000252281A
JP2047649U
Attorney, Agent or Firm:
吉田 研二
石田 純