Title:
バンプ形成方法、バンプ形成装置及び半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5686912
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】所望の高さを有するバンプをより簡便で効率的に形成したバンプ形成方法、バンプ形成装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ワイヤが挿通されたボンディングツール１５を基準面の第１地点Ｘ１に向かって下降させて、ツール１５の先端から延出したワイヤの先端を第１地点Ｘ１にボンディングする工程と、ツール１５の先端からワイヤを繰り出してツール１５を第１地点Ｘ１から離れる方向に移動させるワイヤ繰出工程と、基準面の第２地点Ｘ２においてツール１５でワイヤの一部を押圧することによって、ワイヤに薄肉部６４を形成する工程と、ツール１５をワイヤの薄肉部６４とともに移動させて、第１地点Ｘ１にボンディングされたワイヤを基準面から立ち上がるように整形する工程と、ワイヤを薄肉部６４において切断することによって、第１地点Ｘ１に基準面から立ち上がる形状を有するバンプ６０を形成する工程と、を含む。【選択図】図３
Inventors:
吉野 浩章
富山 俊彦
富山 俊彦
Application Number:
JP2014030413A
Publication Date:
March 18, 2015
Filing Date:
February 20, 2014
Export Citation:
Assignee:
株式会社新川
International Classes:
H01L21/60
Domestic Patent References:
| JPH02503616A | 1990-10-25 | |||
| JPH118269A | 1999-01-12 | |||
| JP2010192928A | 2010-09-02 | |||
| JP2001160566A | 2001-06-12 | |||
| JP2007220699A | 2007-08-30 | |||
| JP2013038257A | 2013-02-21 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshiyuki Inaba
Toshifumi Onuki
Akihiko Eguchi
Kazuhiko Naito
Toshifumi Onuki
Akihiko Eguchi
Kazuhiko Naito