Title:
基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5792364
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】基板への均一なガス供給と基板面内加熱を同時に達成可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体を提供する。【解決手段】中央に設けられたガス分散チャネル231bと、ガス分散チャネルの径が、下方に向かって徐々に広がるよう構成される供給経路の側壁231cと、下部231dを介して側壁に連続して構成される下方表面231eとを有するチャンバリッドアセンブリ231と、下方表面の一部に設けられ、チャンバリッドアセンブリを構成する材質よりも高い熱伝導率を有するカバー233と、チャンバリッドアセンブリとカバーを有する天板204と、ガス分散チャネルに接続されるガス供給部243、244と、下方表面と対向する基板載置面211を有する。【選択図】図1
More Like This:
Inventors:
Mitsuro Tanabe
Aihiko Yanagisawa
Kazuhiro Yuasa
Masanori Sakai
Yasutoshi Tsubota
Aihiko Yanagisawa
Kazuhiro Yuasa
Masanori Sakai
Yasutoshi Tsubota
Application Number:
JP2014156333A
Publication Date:
October 07, 2015
Filing Date:
July 31, 2014
Export Citation:
Assignee:
Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/31; C23C16/455; C23C16/46
Domestic Patent References:
JPH1060650A | 1998-03-03 | |||
JPH11117071A | 1999-04-27 | |||
JP2001152344A | 2001-06-05 | |||
JP2011500961A | 2011-01-06 | |||
JPS62280367A | 1987-12-05 | |||
JP3176540U | 2012-06-28 | |||
JPH1060650A | 1998-03-03 | |||
JPH11117071A | 1999-04-27 | |||
JP2001152344A | 2001-06-05 | |||
JP2011500961A | 2011-01-06 | |||
JPS62280367A | 1987-12-05 | |||
JP3176540U | 2012-06-28 |