Title:
炭化ケイ素半導体装置、炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置の設計方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5833274
Kind Code:
B1
Abstract:
炭化ケイ素半導体装置は、第1導電型炭化ケイ素層３２と、第２導電型炭化ケイ素層３６と、ゲートトレンチ２０と、ゲートトレンチ２０内に設けられたゲート電極７９と、ゲートトレンチ２０よりも深い深さまで形成されたプロテクショントレンチ１０と、を備えている。水平方向において、ゲートトレンチ２０と、ゲートトレンチ２０の一部のみを水平方向で取り囲むプロテクショントレンチ１０の両方を含む領域がセル領域となり、水平方向において、プロテクショントレンチ１０を含み、ゲートパッド８９又は当該ゲートパッド８９に接続された引き回し電極が配置される領域がゲート領域となる。セル領域のゲートトレンチ２０の上方及びゲート領域に第２導電部材８１が設けられ、当該第２導電部材８１は、セル領域のうちプロテクショントレンチ１０が設けられていない箇所の上方を経て、セル領域のゲートトレンチ２０の上方からゲート領域にわたって配置されている。
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Inventors:
Inoue Tetsuto
Akihiko Sugai
Shunichi Nakamura
Akihiko Sugai
Shunichi Nakamura
Application Number:
JP2015506007A
Publication Date:
December 16, 2015
Filing Date:
September 24, 2014
Export Citation:
Assignee:
Shindengen Industry Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/12; H01L21/28; H01L29/06; H01L29/41; H01L29/423; H01L29/49; H01L29/739; H01L29/78
Domestic Patent References:
| JP2012238769A | 2012-12-06 | |||
| JP2012243985A | 2012-12-10 | |||
| JP2009278067A | 2009-11-26 | |||
| JP2012164851A | 2012-08-30 |
Attorney, Agent or Firm:
Tomoya Deguchi
Hirohito Katsunuma
Hirohito Katsunuma
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