Title:
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5846335
Kind Code:
B1
Abstract:
基板１上に、ポリシロキサンを含有する組成物のパターン２ａを得る工程と、前記基板にイオン不純物領域６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記イオン不純物領域の形成工程後、さらに、前記パターンを３００〜１，５００℃で焼成する工程、を有することを特徴とする。これにより、半導体基板へのイオン不純物領域の形成後に、ポリシロキサンを含有する組成物のパターン２ａの硬化膜を、残渣なく容易に除去することが可能となるため、半導体装置製造における歩留まり向上や、タクトタイム短縮が可能となる。
Inventors:
Yuu Tanigaki
Kennori Fujiwara
Kennori Fujiwara
Application Number:
JP2015515337A
Publication Date:
January 20, 2016
Filing Date:
March 18, 2015
Export Citation:
Assignee:
TORAY INDUSTRIES,INC.
International Classes:
H01L21/027; C09D1/00; C09D183/04; G03F7/075; G03F7/40; G03F7/42; H01L21/266; H01L21/304
Domestic Patent References:
| JP2008107529A | 2008-05-08 | |||
| JP2006041166A | 2006-02-09 | |||
| JPS61216429A | 1986-09-26 |
Foreign References:
| WO2013099785A1 | 2013-07-04 |