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Title:
3次元メモリ用の単結晶シリコンを有する選択ゲートトランジスタ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6450888
Kind Code:
B2
Inventors:
マーシェッド チョードゥリー
ヤンリー チャン
ジン リュウ
ラフバー エス. マカラ
ヨハン アルスマイアー
Application Number:
JP2018514397A
Publication Date:
January 09, 2019
Filing Date:
September 13, 2016
Export Citation:
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Assignee:
サンディスク テクノロジーズ エルエルシー
International Classes:
H01L27/1157; H01L21/336; H01L27/11582; H01L29/788; H01L29/792
Domestic Patent References:
JP2013038124A
Foreign References:
US20140112049
US20120086072
US20150079765
US20140252363
US20140138687
US20110233648
Attorney, Agent or Firm:
特許業務法人快友国際特許事務所