Title:
気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6477854
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】本発明は、金属汚染を高感度に検出することができる、気相成長装置の汚染管理方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該汚染管理方法によって汚染管理された気相成長装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の気相成長装置の汚染管理方法は、汚染評価用ウェーハを気相成長装置のチャンバの内部に搬入する、ウェーハ搬入工程と、前記汚染評価用ウェーハを、１１９０℃以上の熱処理温度で３０ｓｌｍ以下の水素流量で熱処理する、熱処理工程と、前記チャンバの内部から前記汚染評価用ウェーハを搬出する、ウェーハ搬出工程と、前記汚染評価用ウェーハの金属汚染度を評価する、ウェーハ汚染評価工程と、を含む。本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、該汚染管理方法により汚染管理された気相成長装置を用いてエピタキシャル成長を行うものである。【選択図】図２
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Inventors:
Shota Kise
Application Number:
JP2017246867A
Publication Date:
March 06, 2019
Filing Date:
December 22, 2017
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
H01L21/205; C23C16/24; C23C16/44; C30B25/02; C30B29/06
Domestic Patent References:
| JP2000150526A | 2000-05-30 | |||
| JP2014082324A | 2014-05-08 | |||
| JP2014103328A | 2014-06-05 | |||
| JP2014229821A | 2014-12-08 | |||
| JP2015029002A | 2015-02-12 | |||
| JP2015211064A | 2015-11-24 | |||
| JP2016076518A | 2016-05-12 | |||
| JP2016100577A | 2016-05-30 |
Attorney, Agent or Firm:
Kenji Sugimura
Mitsutsugu Sugimura
Keisuke Kawahara
Yamaguchi Yusuke
Mitsutsugu Sugimura
Keisuke Kawahara
Yamaguchi Yusuke