Title:
半導体記憶装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6517385
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 複数の信頼性条件や複数の性能要求を満たすことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の抵抗変化型メモリは、外部からの書込みコマンドの種類に応じて書込み条件を変えてメモリアレイにデータを書込むことを可能にする。書込みコマンドがエンデュランス関連コマンドである場合には、エンデュランス用アルゴリズムを選択し、エンデュランス用記憶領域にデータを書込み、書込みコマンドがリテンション関連コマンドである場合には、リテンション用アルゴリズムを選択し、リテンション用記憶領域にデータを書込む。【選択図】 図６
Inventors:
Yasuhiro Tomita
Application Number:
JP2018019747A
Publication Date:
May 22, 2019
Filing Date:
February 07, 2018
Export Citation:
Assignee:
Winbond Electronics Corporation
International Classes:
G11C13/00
Domestic Patent References:
| JP2003186739A |
Foreign References:
| WO2016194175A1 |
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose