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Title:
p型半導体膜および電子デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6547140
Kind Code:
B1
Abstract:
正孔移動度がより十分に高いヘテロフラーレンを含むp型半導体膜を提供する。p型半導体膜は、フラーレンを構成する炭素原子のうちn+r(個)(nおよびrはともに正の奇数)の炭素原子をn個のホウ素原子およびr個の窒素原子で置換したヘテロフラーレンを含む。

Inventors:
松澤 伸行
笹子 勝
中 順一
Application Number:
JP2019510975A
Publication Date:
July 24, 2019
Filing Date:
August 07, 2018
Export Citation:
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Assignee:
パナソニックIPマネジメント株式会社
International Classes:
H01L51/30; C01B32/154; C01B32/156; H01L29/786; H01L51/05
Domestic Patent References:
JP72507A
JP1160222A
Foreign References:
WO2005066385A1
Attorney, Agent or Firm:
鎌田 健司
野村 幸一