Title:
シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6645545
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】シリコン試料の炭素濃度を評価するための新たな方法を提供すること。【解決手段】評価対象シリコン試料に水素原子を導入すること、上記水素原子が導入された評価対象シリコン試料を、シリコンのバンドギャップ中のトラップ準位を評価する評価法による評価に付すこと、および上記評価により得られた評価結果の中で、Ｅｃ−０．１０ｅＶ、Ｅｃ−０．１３ｅＶおよびＥｃ−０．１５ｅＶからなる群から選ばれる少なくとも１つのトラップ準位の密度に関する評価結果に基づき、上記評価対象シリコン試料の炭素濃度を評価することを含み、上記水素原子の導入を評価対象シリコン試料を溶液と接触させることにより行い、かつ上記溶液はモル比（ＨＮＯ3／（ＨＮＯ3＋ＨＦ））が０．７２以上０．８２以下の範囲または０．８７以上０．９１以下の範囲のフッ硝酸であるシリコン試料の炭素濃度評価方法。【選択図】なし
Inventors:
Takashi Oto
Kazutaka Eriguchi
Miyoshi
Shuichi Samata
Kazutaka Eriguchi
Miyoshi
Shuichi Samata
Application Number:
JP2018164532A
Publication Date:
February 14, 2020
Filing Date:
September 03, 2018
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
H01L21/66; C30B15/00; C30B29/06
Domestic Patent References:
| JP2018041755A | ||||
| JP2017191800A | ||||
| JP2018107228A | ||||
| JP2018014343A |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Service Corporation Patent Office Sykes
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