Title:
半導体膜
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6784870
Kind Code:
B1
Abstract:
結晶欠陥が著しく少ない半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ｇａ２Ｏ３、又はα−Ｇａ２Ｏ３系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面の結晶欠陥密度が１．０×１０６／ｃｍ２以下である。
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Inventors:
Watanabe Morido
Hiroshi Fukui
Hiroshi Fukui
Application Number:
JP2020538732A
Publication Date:
November 11, 2020
Filing Date:
September 10, 2019
Export Citation:
Assignee:
Nippon Insulator Co., Ltd.
International Classes:
C30B29/16; C30B29/22; H01L21/205
Domestic Patent References:
| JP2014234344A | 2014-12-15 | |||
| JP2014072533A | 2014-04-21 | |||
| JP2016155714A | 2016-09-01 | |||
| JPH05254991A | 1993-10-05 |
Foreign References:
| US20190057865A1 | 2019-02-21 |
Other References:
AKAIWA, KAZUAKI ET AL.: "Conductivity control of Sn-doped α-Ga2O3 thin films grown on sapphire substrates", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 55, JPN6019025483, 2016, pages 1202 - 1, ISSN: 0004356147
JINNO, RIENA, ET AL.: "Reduction in edge dislocation density in corundum-structured α-Ga2O3 layers on sapphire substrates", APPLIED PHYSICS EXPRESS, vol. 9, JPN6018028227, 2016, pages 071101 - 1, ISSN: 0004356148
増田 泰久、金子 健太郎、大島 祐一、四戸 孝、藤田 静雄: "金ナノ粒子修飾サファイヤ基板上酸化ガリウム薄膜の作製", 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会［講演予稿集］ EXTENDED ABSTRACTS OF THE 79TH JSAP AUTUMN, JPN6019025485, pages 224 - 5, ISSN: 0004356149
JINNO, RIENA, ET AL.: "Reduction in edge dislocation density in corundum-structured α-Ga2O3 layers on sapphire substrates", APPLIED PHYSICS EXPRESS, vol. 9, JPN6018028227, 2016, pages 071101 - 1, ISSN: 0004356148
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Attorney, Agent or Firm:
Masaharu Takamura
Hiroki Kashima
Yu Hasegawa
Ryo Kawauchi
Hiroki Kashima
Yu Hasegawa
Ryo Kawauchi