Title:
洗浄液、及びウェーハの洗浄方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7193026
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の悪化や突起状の欠陥（ＰＩＤ）などの発生を抑制しながら、シリコンウェーハ表面のパーティクルや金属不純物の除去を行うことができる洗浄液を提供することを目的とする。【解決手段】シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、前記洗浄液はオゾンを含むフッ酸水溶液であり、前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが０．００４ｎｍ／ｓｅｃ以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下となる濃度であり、かつ、前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、（オゾンによる酸化膜形成レート）／（フッ酸による酸化膜エッチングレート）で示されるレート比が１以下となる関係を満たすものであることを特徴とする洗浄液。【選択図】図１
Inventors:
Kensaku Igarashi
Application Number:
JP2022079816A
Publication Date:
December 20, 2022
Filing Date:
May 13, 2022
Export Citation:
Assignee:
Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/304
Domestic Patent References:
| JPH08250460A | 1996-09-27 | |||
| JPH11307498A | 1999-11-05 | |||
| JP2003218085A | 2003-07-31 | |||
| JP2007042889A | 2007-02-15 | |||
| JP2008021924A | 2008-01-31 | |||
| JP2021174912A | 2021-11-01 |
Attorney, Agent or Firm:
Mikio Yoshimiya
Toshihiro Kobayashi
Toru Otsuka
Toshihiro Kobayashi
Toru Otsuka
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