Title:
ドライ現像方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2003017343
Kind Code:
A1
Abstract:
真空処理容器１０２内に設けた平行平板電極間に処理ガスを導入するとともに高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを形成し，被処理体１５０上に形成されたレジストを描画するためのドライ現像を，被エッチング層１５２上部のレジストは，既に現像されたシリコンを含有する上層レジスト１５６と，上層レジスト１５６の下層に接して設けられる下層レジスト１５４とを有し，下層レジスト１５４は，一酸化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いてプラズマ処理される第１の工程と，窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いてプラズマ処理される第２の工程とにより行うことにより，レジストに，精度の良い描画を効率よく施すことが可能となる。
Inventors:
北村 彰規
バラスブラマニアン ナサン バイディア
稲沢 剛一郎
西野 雅
バラスブラマニアン ナサン バイディア
稲沢 剛一郎
西野 雅
Application Number:
JP2003522153A
Publication Date:
December 09, 2004
Filing Date:
August 13, 2002
Export Citation:
Assignee:
東京エレクトロン株式会社
International Classes:
H01L21/027; G03F7/00; G03F7/26; G03F7/36; G03F7/40; H01L21/3065; G03F7/075; G03F7/09; H01L21/311