Title:
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005008784
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域から注入されドレーン領域へ向かうキャリアが移動する半導体層を有し、前記半導体層が有機半導体材料とナノチューブとを含む複合材料で形成されている。前記ナノチューブは、複数個のナノチューブが連結されているナノチューブであっても良い。
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Inventors:
Toshinari Nanai
Naohide Wakita
Takayuki Takeuchi
Naohide Wakita
Takayuki Takeuchi
Application Number:
JP2005511874A
Publication Date:
September 28, 2006
Filing Date:
July 13, 2004
Export Citation:
Assignee:
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
International Classes:
H01L29/786; H01L51/05; H01L51/30; H01L27/32; H01L51/00
Domestic Patent References:
| JP2002082082A | 2002-03-22 | |||
| JP2003096313A | 2003-04-03 | |||
| JP2002273741A | 2002-09-25 | |||
| JP2002314093A | 2002-10-25 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshihiro Tsunoda
Yasu Furukawa
Toshio Nishitani
Keiji width
Yasu Furukawa
Toshio Nishitani
Keiji width
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