Title:
窒化物半導体成長用基板
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005015618
Kind Code:
A1
Abstract:
高品質の窒化物半導体結晶層を得ることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。本発明の一実施形態に係る、サファイア基板（１）上に窒化物半導体層を成長させるための窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板（１）上に別途に設けたＡｌ２Ｏ３層（２）と、第１の層であるＡｌＯＮ層（３）と、第２の層であるＡｌＮ層（４）とを備える。第１の層および第２の層については、ＡｌＯＮ層（３）とＡｌＮ層（４）との順序でＡｌ２Ｏ３層（２）上に積層させる。
Inventors:
Kazuhide Kumakura
Masanobu Hiroki
Toshiki Makimoto
Masanobu Hiroki
Toshiki Makimoto
Application Number:
JP2005513005A
Publication Date:
October 05, 2006
Filing Date:
August 11, 2004
Export Citation:
Assignee:
Nippon Telegraph and Telephone Corporation
International Classes:
H01L21/20; C30B25/18; C30B29/38; C30B29/40; H01L21/331; H01L29/737
Attorney, Agent or Firm:
Yoshikazu Tani
Kazuo Abe
Kazuo Abe