Title:
半導体搭載用基板
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005081312
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体搭載用基板８０は、ビルドアップ層３０の最上面に形成されたエクスターナルパッド４１及びインターナルパッド４３に高剛性のインターポーザ６０を介してＩＣチップ７０が電気的に接合されて作製される。その後、ＩＣチップ７０が発熱すると、パッド４１は中心から離れているため、パッド４１とインターポーザ６０との接合部分にはパッド４３とインターポーザ６０との接合部分に比べて大きな剪断応力がかかる。ここで、パッド４１は略平坦な配線部分に形成されているため、ハンダバンプ５１によってインターポーザ６０と接合するときにハンダバンプ５１の内部に応力が集中しやすいボイドが形成されたり角部が形成されたりすることがない。よって接合信頼性が高い。
Inventors:
Masaki Ohno
Tamaki Masanori
Tamaki Masanori
Application Number:
JP2006510340A
Publication Date:
January 17, 2008
Filing Date:
February 23, 2005
Export Citation:
Assignee:
IBIDEN CO.,LTD.
International Classes:
H01L23/12; H01L23/498; H05K1/11; H05K3/34; H05K3/46
Domestic Patent References:
| JPH1051146A | 1998-02-20 | |||
| JP2001168531A | 2001-06-22 | |||
| JP2003046022A | 2003-02-14 | |||
| JP2000091753A | 2000-03-31 | |||
| JP2003046024A | 2003-02-14 |
Attorney, Agent or Firm:
Aitec International Patent Office
Previous Patent: 回路装置およびその製造方法
Next Patent: PRODUCTION METHOD FOR MONOLITH TYPE CATALYST, AND DRYING APPARATUS USED FOR THE SAME
Next Patent: PRODUCTION METHOD FOR MONOLITH TYPE CATALYST, AND DRYING APPARATUS USED FOR THE SAME