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Title:
ガス製造設備、ガス供給容器、及び電子装置製造用ガス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005088185
Kind Code:
A1
Abstract:
原料ガスを扱うガス製造設備、並びに、ガス供給容器に起因する原料ガスの汚染を防止する。 反応性の高い原料ガス、特に、フッ素化炭化水素によるガス製造設備及び供給容器における接ガス表面の表面粗さを中心平均粗さRaで1μm以下にする。表面粗さを制御された接ガス表面には、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム等の酸化性不働態膜が形成されることが好ましい。

Inventors:
大見 忠弘
白井 泰雪
加藤 丈佳
田中 公章
中村 昌洋
田中 克知
Application Number:
JP2006510892A
Publication Date:
August 09, 2007
Filing Date:
February 16, 2005
Export Citation:
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Assignee:
大見 忠弘
日本ゼオン株式会社
International Classes:
C07C17/38; C07C21/18; C07C21/185; C07C21/22; C07C23/06; C07C23/08; C07C25/13; C23C4/10; C23C8/02; C23C8/14; C23C8/16; C23C8/18; C23C16/30; C23C30/00; F17C1/10
Domestic Patent References:
JP2003166700A2003-06-13
JP2000120992A2000-04-28
JPH02179867A1990-07-12
JPS6431956A1989-02-02
JP2002047218A2002-02-12
Attorney, Agent or Firm:
池田 憲保
福田 修一
山本 格介