Title:
酸窒化膜及び窒化膜の形成方法、形成装置、酸窒化膜、窒化膜、及び基材
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005093810
Kind Code:
A1
Abstract:
窒化反応の窒化時間・窒化温度の依存性がなく、かつ低温・高速窒化が可能で均一な窒化膜及び酸窒化膜を形成する。 圧力３００（Ｔｏｒｒ）以上の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に０．２％以下の酸化物を含む窒素ガスを導入して電界を印加することにより得られるＮ２（２ｎｄｐ．ｓ．）又はＮ２（Ｈ．Ｉ．Ｒ．）活性種プラズマを被処理物に接触させ、該被処理物表面に窒化膜／酸窒化膜を形成する。
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Inventors:
Fujimura Kibun
Ryoma Hayakawa
Yuya Kitahata
Tsuyoshi Uehara
Takuya Yara
Ryoma Hayakawa
Yuya Kitahata
Tsuyoshi Uehara
Takuya Yara
Application Number:
JP2006511597A
Publication Date:
February 14, 2008
Filing Date:
March 25, 2005
Export Citation:
Assignee:
Sekisui Chemical Co.,Ltd.
International Classes:
H01L21/318; C23C8/24; C23C8/28; C23C8/36; H01J37/32; H01L21/31; H01L21/314; H01L29/78
Domestic Patent References:
| JPH11335868A | 1999-12-07 | |||
| JPH10275698A | 1998-10-13 | |||
| JP2002324795A | 2002-11-08 | |||
| JP2003203800A | 2003-07-18 | |||
| JP2003306774A | 2003-10-31 |
Attorney, Agent or Firm:
Yusuke Hiraki
Sekiya Mitsuo
Toshiaki Watanabe
Sekiya Mitsuo
Toshiaki Watanabe