Title:
半導体記憶装置の検査方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005122180
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体記憶装置の検査方法は、強誘電体キャパシタを用いた不揮発性メモリを有する半導体記憶装置の強誘電体キャパシタに対して、第１の分極状態で放置した後、（ａ）前記第１の分極状態と逆の第２の分極状態を書き込む工程と、（ｂ）前記第２の分極状態を放置する工程と、（ｃ）前記第２の分極状態を読み出す工程と、を含み、前記工程（ａ）の温度または電圧が前記工程（ｃ）の温度または電圧より低い。インプリント特性を短時間で評価できる半導体記憶装置の検査方法が提供される。
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Inventors:
Yukinobu Hikosaka
Tomohiro Takamatsu
Yoshinori Obata
Tomohiro Takamatsu
Yoshinori Obata
Application Number:
JP2006514366A
Publication Date:
April 10, 2008
Filing Date:
June 08, 2004
Export Citation:
Assignee:
富士通株式会社
International Classes:
G11C29/56; G11C11/22; G11C29/00; G11C29/50; H01L27/105
Attorney, Agent or Firm:
Keishiro Takahashi
Mikio Kuruyama
Mikio Kuruyama
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