Title:
半導体装置製造用加熱炉及び半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2005122231
Kind Code:
A1
Abstract:
高温領域３２から低温領域３０へ輻射熱を遮蔽するシャッター２０を進退可能に高温領域と低温領域の中間に付設する。基板１を一旦低温領域３２で保持して、輻射熱をシャッター２０で遮蔽しつつ、予備加熱による均熱を行ない、その後シャッター２０を後退させて基板１を高温領域３０に移動し、表面側が高く反対の裏面側が低い温度勾配が維持されているガラス基板１を低温領域に移動させる温度勾配熱処理を行う。高温領域と低温領域を有する加熱炉のプロセスチューブを有する加熱炉の高さを低くし、パーティクル発生を少なくし、さらに、液晶ディスプレイデバイスに使用されているTFTポリシリコン(p-Si)トランジスタの比抵抗を下げる。
Inventors:
Mikio Takagi
Chung U Kichi
Chung U Kichi
Application Number:
JP2006514561A
Publication Date:
April 10, 2008
Filing Date:
June 09, 2005
Export Citation:
Assignee:
FTL Co., Ltd.
Comtex Co., Ltd.
Comtex Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/324; F27B5/04; F27B17/00; H01L21/00; H01L21/20; H01L21/22
Domestic Patent References:
| JP2000021797A | 2000-01-21 | |||
| JP2003507881A | 2003-02-25 | |||
| JPH0661163A | 1994-03-04 | |||
| JPH06302523A | 1994-10-28 |
Attorney, Agent or Firm:
Takuo Murai