Title:
半導体装置及びソース電圧制御方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2006001058
Kind Code:
A1
Abstract:
同一セクタ内のメモリセルＭＣに共通に接続されたソース線ＡＲＶＳＳの電圧を、データの書き込み前にプリチャージするプリチャージ回路２０を有している。メモリセルＭＣのソース線ＡＲＶＳＳの電圧をデータの書き込み前にプリチャージしておくことで、データの書き込み時間を短くしてもデータ書き込み時にメモリセルＭＣのソース線ＡＲＶＳＳの電圧が低下しない。従って、データの書き込み時のリーク電流の発生を防止し、メモリセルＭＣへのデータ書き込みを最適に行うことができる。
Inventors:
Kurosaki Kazuhide
Shigekazu Yamada
Masaru Yano
Shigekazu Yamada
Masaru Yano
Application Number:
JP2006527594A
Publication Date:
July 31, 2008
Filing Date:
June 25, 2004
Export Citation:
Assignee:
Spansion LLC
ADVANCED MICRO DEVICES INCORPORATED
ADVANCED MICRO DEVICES INCORPORATED
International Classes:
G11C16/06; G11C7/00; G11C16/30
Domestic Patent References:
| JPH1145587A | 1999-02-16 | |||
| JPS57205895A | 1982-12-17 |
Attorney, Agent or Firm:
Shuhei Katayama
Teruo Yokoyama
Teruo Yokoyama
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