Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2006057400
Kind Code:
A1
Abstract:
金属シリケート膜中の金属原子とシリコン原子との濃度比の制御性を向上し、高品質な半導体装置を製造できるようにする。処理室４内に金属原子を含む第１原料と、シリコン原子と窒素原子を含む第２原料とを供給して、基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む金属シリケート膜を成膜する工程とを有し、前記金属シリケート膜を成膜する工程では、第１原料と第２原料の原料供給比を制御することにより、形成する金属シリケート膜中の金属原子とシリコン原子の濃度比を制御する。

More Like This:
JP2008016806THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY ELEMENT
WO/2002/058130METHOD FOR PRODUCING MATERIAL OF ELECTRONIC DEVICE
JPH11150185MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Inventors:
Atsushi Sano
Sadayoshi Horii
Hideharu Itaya
Katsuhiko Yamamoto
Application Number:
JP2006547932A
Publication Date:
June 05, 2008
Filing Date:
November 29, 2005
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/316; H01L29/78
Domestic Patent References:
JP2004529495A2004-09-24
Foreign References:
WO2003019643A12003-03-06
Attorney, Agent or Firm:
Toru Yui
Aniya Setsuo
Hitoshi Kiyono



 
Previous Patent: HANDRAIL FENCE

Next Patent: 血管内障害物の剥離具