Title:
膜形成材料および膜形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2006075578
Kind Code:
A1
Abstract:
信号の処理速度向上が得られる誘電率が２．２以下の層間絶縁膜を提供する。化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、(ｃ−Ｃ5Ｈ9）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2を不活性ガスのバブリングにより供給する供給工程と、前記供給工程で供給された(ｃ−Ｃ5Ｈ9）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2の分解による分解生成物が基板上に堆積する堆積工程とを具備する膜形成方法である。
Inventors:
Hideaki Machida
Muramoto Ikuyo
Xu Yonghua
Muramoto Ikuyo
Xu Yonghua
Application Number:
JP2006552911A
Publication Date:
June 12, 2008
Filing Date:
January 10, 2006
Export Citation:
Assignee:
Tri Chemical Laboratories, Inc.
International Classes:
H01L21/312; H01L21/316; H01L21/768; H01L23/522
Domestic Patent References:
| JP2004098570A | 2004-04-02 | |||
| JP2004281535A | 2004-10-07 |
Attorney, Agent or Firm:
Katsumi Utaka
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