Title:
半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007013464
Kind Code:
A1
Abstract:
表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第１ステップと、少なくともエッチングガスを導入する第２ステップとを交互に複数回繰り返して、シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、第１ステップより第２ステップが先行して、交互の繰り返し処理を開始する。
More Like This:
| JP2014049541 | THIN FILM MANUFACTURING DEVICE AND ELECTRODE VOLTAGE REGULATING METHOD THEREOF |
| JPS5821321 | VAPOR PHASE GROWTH OF SEMICONDUCTOR |
| JPH0191415 | WAFER SUSCEPTOR |
Inventors:
Yasuhiro Inoguchi
Atsushi Moriya
Katsuhiko Yamamoto
Hashiba Shoaki
Takashi Yokokawa
Atsushi Moriya
Katsuhiko Yamamoto
Hashiba Shoaki
Takashi Yokokawa
Application Number:
JP2007528480A
Publication Date:
February 05, 2009
Filing Date:
July 25, 2006
Export Citation:
Assignee:
Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/205; H01L21/28; H01L21/285; H01L21/768; H01L29/417; H01L29/78
Domestic Patent References:
| JP2005183514A | 2005-07-07 | |||
| JPH08153688A | 1996-06-11 | |||
| JP2003086511A | 2003-03-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Arafune
Haruhiko Miyamoto
Haruhiko Miyamoto