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Title:
半導体光素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007077740
Kind Code:
A1
Abstract:
受光素子１は、半導体基板１０１と、この半導体基板１０１上に設けられた活性領域、および活性領域上に設けられた第一電極（ｐ側電極１１１）を有する第一メサ１１と、半導体基板１０１上に設けられ、半導体層および半導体層上に設けられた第二電極（ｎ側電極１２１）を有する第二メサ１２と、半導体基板１０１上に設けられ、半導体層を有する第三メサ１３と、を備え、第三メサ１３は、第一メサ１１を囲むように配置されている。

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Inventors:
Watanabe Sawaki
Kazuhiro Shiba
Takeshi Nakata
Application Number:
JP2007552905A
Publication Date:
June 11, 2009
Filing Date:
December 20, 2006
Export Citation:
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Assignee:
NEC
International Classes:
H01L33/20; H01L31/107; H01S5/183
Attorney, Agent or Firm:
Shinji Hayami



 
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