Title:
半導体装置とその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007091301
Kind Code:
A1
Abstract:
膜質が最適化された窒化シリコンよりなる保護絶縁膜を備えた半導体装置とその製造方法を提供するために、ＧａＡｓ基板、ＧａＡｓ基板上に形成された化合物半導体層（１５）と、化合物半導体層（１５）の表面上に形成された窒化シリコンからなる保護絶縁膜（２０）とを有し、保護絶縁膜（２０）は、二層目が一層目よりも膜密度が低くなるように積層された二以上の窒化シリコン膜（２０ａ）、（２０ｂ）の積層膜で構成されるか、或いは、膜密度が下から上に向かって低くなる単層の窒化シリコン膜で構成される半導体装置による。
Inventors:
Gozo Makiyama
Application Number:
JP2007557693A
Publication Date:
June 25, 2009
Filing Date:
February 07, 2006
Export Citation:
Assignee:
富士通株式会社
International Classes:
H01L21/338; H01L21/318; H01L29/778; H01L29/812
Attorney, Agent or Firm:
Keizo Okamoto