Title:
プラズマ酸化処理方法および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007099922
Kind Code:
A1
Abstract:
シリコン層と、高融点金属含有層とを有する構造体に対し、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用い、処理圧力１．３３〜６６．６７Ｐａで第１のプラズマ酸化処理を行なうことと、第１のプラズマ酸化処理の後で、少なくとも水素ガスと酸素ガスを含む処理ガスを用い、処理圧力１３３．３〜１３３３Ｐａで第２のプラズマ酸化処理を行なうことと、を含むプラズマ酸化処理を行ない、シリコン酸化膜を形成する。
Inventors:
Masaru Sasaki
Application Number:
JP2008502779A
Publication Date:
July 16, 2009
Filing Date:
February 27, 2007
Export Citation:
Assignee:
東京エレクトロン株式会社
International Classes:
H01L21/316; H01L21/28; H01L21/8247; H01L27/115; H01L29/78; H01L29/788; H01L29/792
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Takayama