Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007105275
Kind Code:
A1
Abstract:
強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、強誘電体キャパシタ下部電極の膜質を改善して、強誘電体キャパシタ下部電極の上に形成する強誘電体膜の特性を良好にする。強誘電体キャパシタ（１０２）を有する半導体装置において、強誘電体キャパシタ（１０２）の下部電極であるイリジウム膜（７０）を、ＭＯＳトランジスタ（２０）に接続されたプラグ電極（３０）上に位置する酸化アルミニウム膜（４０）の上層に形成する。酸化アルミニウム膜（４０）表面に、窒素及び水素を含むプラズマを照射し、その上にチタンナイトライド膜（５１）、チタンアルミナイトライド膜（６０）、イリジウム膜（７０）、強誘電体膜（８０）、上部電極（１０１）を形成する。これにより、チタンナイトライド膜（５１）、チタンアルミナイトライド膜（６０）、イリジウム膜（７０）及び強誘電体膜（８０）を結晶性良く形成することができる。
Inventors:
Katsuyoshi Matsuura
Takai Kazuaki
Takai Kazuaki
Application Number:
JP2008504929A
Publication Date:
July 23, 2009
Filing Date:
March 10, 2006
Export Citation:
Assignee:
Fujitsu Microelectronics Limited
International Classes:
H01L21/8246; H01L27/105
Attorney, Agent or Firm:
Takeshi Hattori