Title:
磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007111318
Kind Code:
A1
Abstract:
磁気抵抗素子５０と、書き込み回路４３、４１と、読み出し回路４４、４２とを具備する磁気ランダムアクセスメモリを用いる。磁気抵抗素子５０は、固定強磁性層、非磁性層及び自由強磁性層が順次積層され、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能である。書き込み回路４３、４１は、読み出し動作時において、固定強磁性層と自由強磁性層との間に所定の向きに、自由強磁性層の磁化が反転する閾値電流よりも大きい第１読み出し電流を供給する。読み出し回路４４、４２は、読み出し電流の供給時における自由強磁性層での磁化の反転の有無に基づいて、磁気抵抗素子５０のデータの判定を行う。
Inventors:
Tetsuhiro Suzuki
Application Number:
JP2008507498A
Publication Date:
August 13, 2009
Filing Date:
March 26, 2007
Export Citation:
Assignee:
NEC
International Classes:
G11C11/15; H01L21/8246; H01L27/105; H01L43/08
Attorney, Agent or Firm:
Minoru Kudo