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Title:
容量素子
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007116471
Kind Code:
A1
Abstract:
第1の電極層と第2の電極層との間に誘電体層が形成され、外部から印加する電圧により容量を変化させることができる容量素子である。誘電体層は、A2+B4+O3なる構造の第1のペロブスカイト型酸化物と、A2+(C2+1/3D5+2/3)O3なる構造の第2のペロブスカイト型酸化物とが複合化された、化学式(A2+B4+O3)x-(A2+(C2+1/3D5+2/3)O3)y示されるペロブスカイト型酸化物である。ただし、組成比x+組成比y=1であり、元素Aが2価の金属イオン、元素Bが4価の金属イオン、元素Cが2価の金属イオン、元素Dが5価の金属イオンである。この容量素子は、容量変化率が大きく、高周波信号に対する損失が小さいので、携帯電話等の高周波回路に使用される可変容量素子として有用である。

Inventors:
Kurihara Kazuaki
Kenji Shioga
John Beneki
Ishii Masatoshi
Application Number:
JP2008509622A
Publication Date:
August 20, 2009
Filing Date:
March 31, 2006
Export Citation:
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Assignee:
富士通株式会社
International Classes:
H01G7/06; C04B35/46; H01B3/12
Domestic Patent References:
JP2002329641A2002-11-15
JP2004207692A2004-07-22
Attorney, Agent or Firm:
Yoshito Kitano