Title:
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2008062688
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の不揮発性半導体記憶装置（１０）は、基板（１１）と、基板（１１）上に形成された下層電極配線（１５）と、下層電極配線（１５）を含む基板（１１）上に配され、下層電極配線（１５）と対向している位置にコンタクトホールが形成された層間絶縁層（１６）と、下層電極配線（１５）に接続する抵抗変化層（１８）と、抵抗変化層（１８）と接続し、抵抗変化層（１８）上に形成された非オーミック性素子（２０）と、を備え、非オーミック性素子（２０）は複数層の半導体層の積層構成、金属電極体層と絶縁体層との積層構成または金属電極体層と半導体層との積層構成からなり、コンタクトホール中に上記積層構成のいずれか１層が埋め込み形成され、かつ、積層構成のその他の層の内の半導体層もしくは絶縁体層はコンタクトホールの開口より大きな面積を有し、層間絶縁層（１６）上に形成されている構成からなる。
Inventors:
Takumi Mikawa
Tsuyoshi Takagi
Tsuyoshi Takagi
Application Number:
JP2008505539A
Publication Date:
March 04, 2010
Filing Date:
November 13, 2007
Export Citation:
Assignee:
Panasonic Corporation
International Classes:
H01L27/10; H01L45/00; H01L49/00
Attorney, Agent or Firm:
Patent business corporation Yuko patent office