Title:
積層誘電体製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2008133213
Kind Code:
A1
Abstract:
安定したガラスを用いる積層誘電体の製造方法の提供。焼成前の少なくとも１層の原料層が質量％で５０〜８０のガラス粉末、２０〜５０のアルミナ粉末からなり当該ガラス粉末がモル％で、ＳｉＯ２４５〜６０、Ａｌ２Ｏ３２〜１０、ＢａＯ １０〜３０、ＺｎＯ １０〜２０等からなり、その原料層と隣り合う２個の原料層のガラス粉末がモル％で、ＳｉＯ２４５〜５５、Ａｌ２Ｏ３２〜２０、ＭｇＯ ２０〜４５等からなり、後者のガラス粉末のガラス転移点が前者のそれよりも５０℃以上高く、隣接誘電体層の５０〜３５０℃における平均線膨張係数の差の絶対値が１５×１０−７／℃以下である積層誘電体製造方法。
Inventors:
Toru Akatsuki
Yasuko Osaki
Kazuo Watanabe
Nakayama Katsutoshi
Yasuko Osaki
Kazuo Watanabe
Nakayama Katsutoshi
Application Number:
JP2009511863A
Publication Date:
July 22, 2010
Filing Date:
April 18, 2008
Export Citation:
Assignee:
Asahi Glass Co., Ltd.
International Classes:
C03C8/14; H01B19/00; H05K1/03; H05K3/46