Title:
有機電子デバイス、有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイスの製造装置、基板処理システム、保護膜の構造体、および制御プログラムが記憶された記憶媒体
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009028485
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】応力を緩和しながら高い封止力を持ち、かつ有機素子の特性を変化させない保護膜により有機素子を保護する。【解決手段】 基板処理システムＳｙｓでは、蒸着装置ＰＭ１、第１のマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３および第２のマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ４を含む基板処理装置１０がクラスタ構造に配置され、基板Ｇの搬入から搬出までに基板Ｇが移動する空間を所望の減圧状態に保ちながら有機電子デバイスを製造する。蒸着装置ＰＭ１にて有機ＥＬ素子を形成し、第１のマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３にてマイクロ波のパワーによりブチンガスをプラズマ化し、有機ＥＬ素子に隣接して有機ＥＬ素子を覆うようにａＣＨｘ膜５４を形成し、第２のマイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ４にてマイクロ波のパワーによりシランガスおよび窒素ガスをプラズマ化してａＣＨｘ膜５４上にＳｉＮｘ膜５５を形成する。【選択図】図１
Inventors:
Taku Ishikawa
Application Number:
JP2009530120A
Publication Date:
December 02, 2010
Filing Date:
August 26, 2008
Export Citation:
Assignee:
東京エレクトロン株式会社
International Classes:
H05B33/04; C23C16/42; C23C16/56; H01L51/50; H05B33/10
Attorney, Agent or Firm:
Miaki Kametani
Tetsuo Kanamoto
Koji Hagiwara
Tetsuo Kanamoto
Koji Hagiwara