Title:
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009150896
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を研磨する工程と、を備える。
Inventors:
Masayuki Ishibashi
Shinji Nakahara
Tetsuro Iwashita
Shinji Nakahara
Tetsuro Iwashita
Application Number:
JP2010516792A
Publication Date:
November 10, 2011
Filing Date:
April 17, 2009
Export Citation:
Assignee:
Sumco inc.
International Classes:
H01L21/205; H01L21/304
Attorney, Agent or Firm:
Eternal patent business corporation