Title:
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011036795
Kind Code:
A1
Abstract:
［課題］熱的に安定な耐熱性に優れたスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供することを可能にする。［解決手段］膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し磁化の方向が可変の第１の磁性層１０と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し磁化の方向が不変の第２の磁性層２０と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられた第１の非磁性層３０と、第１の磁性層と第１の非磁性層との間に設けられた第１の界面磁性層１４と、第１の磁性層と第１の界面磁性層との間か、または第１の界面磁性層中のいずれかに設けられたアモルファス構造を有する第２の非磁性層１２と、を備え、第１の磁性層、第１の非磁性層、および第２の磁性層を貫く電流によって、第１の磁性層の磁化の方向が可変となる。
Inventors:
Masahiko Nakayama
Katsuya Nishiyama
Katsuya Nishiyama
Application Number:
JP2011532871A
Publication Date:
February 14, 2013
Filing Date:
September 28, 2009
Export Citation:
Assignee:
Toshiba Corporation
International Classes:
H01L43/08; H01L21/8246; H01L27/105; H01L29/82; H01L43/10
Domestic Patent References:
| JP2009081216A | 2009-04-16 | |||
| JP2009081315A | 2009-04-16 |
Attorney, Agent or Firm:
Kurata Masatoshi
Takakura Shigeo
Satoshi Kono
Makoto Nakamura
Yoshihiro Fukuhara
Takashi Mine
Toshio Shirane
Sadao Muramatsu
Nobuhisa Nogawa
Kocho Chojiro
Naoki Kono
Katsu Sunagawa
Morisezo Iseki
Takao Ako
Tadashi Inoue
Tatsushi Sato
Takashi Okada
Mihoko Horiuchi
Takenori Masanori
Takakura Shigeo
Satoshi Kono
Makoto Nakamura
Yoshihiro Fukuhara
Takashi Mine
Toshio Shirane
Sadao Muramatsu
Nobuhisa Nogawa
Kocho Chojiro
Naoki Kono
Katsu Sunagawa
Morisezo Iseki
Takao Ako
Tadashi Inoue
Tatsushi Sato
Takashi Okada
Mihoko Horiuchi
Takenori Masanori
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