光半導体装置 - Limited company mtec

Title:

光半導体装置

Document Type and Number:

Japanese Patent JPWO2011108664

Kind Code:

A1

Abstract:

集光率が高く、放射される光束の広がりを調整することができるチップサイズの光半導体装置を提供する。発光素子は、素子基板面上に化合物半導体層により形成された１又は２以上の発光部と、光を取り出す発光面とは反対側の面に素子電極とを具備する。発光素子の発光面側に素子基板と同一サイズの透明部材を備え、発光素子がウエーハに形成された状態において透明部材が配設され、その後に発光素子ごとに分離される。発光素子と同一サイズのパッケージ基板を備え、チップサイズパッケージの光半導体装置とすることができる。透明部材として、レンズを形成することができる。

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Inventors:

Usami Hobo

Application Number:

JP2012503262A

Publication Date:

June 27, 2013

Filing Date:

March 03, 2011

Export Citation:

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