Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011125839
Kind Code:
A1
Abstract:
エッチング耐性などに優れるレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物であり、下記一般式（１）及び下記一般式（２）で表される光重合性化合物からなる群より選択される少なくとも一種と溶剤とを有するレジスト下層膜形成用組成物。（一般式（１）及び一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は水素原子など、Ｒ３は芳香族化合物から誘導されるｎ１価の基を示す。Ｒ４は水素原子など、Ｒ５は芳香族化合物から誘導される１価の有機基、Ｒ６はｎ２価の有機基を示す。Ｘは−ＣＯＯ−＊など（「＊」はＲ６に結合する結合手を示す。ｎ１は２〜４の整数、ｎ２は２〜１０の整数を示す。）

More Like This:
JP5448882Planographic printing plate original plate and its plate making method
JP4129091Pattern formation method
JP2008152203UNDERLYING RESIST COMPOSITION, NOVEL COMPOUND USEFUL FOR THE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION
Inventors:
Shinya Nakato
Shinya Minegishi
Kazuhiko Kamura
Takanori Nakano
Application Number:
JP2012509572A
Publication Date:
July 11, 2013
Filing Date:
March 31, 2011
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
JSR CORPORATION
International Classes:
G03F7/11; G03F7/40; H01L21/027
Attorney, Agent or Firm:
Ippei Watanabe
Koji Kikawa
Hiroyuki Sato
Shigeru Koike



 
Previous Patent: 蓄尿障害の治療剤又は予防剤

Next Patent: AMIDE-CONTAINING TERTIARY AMINE COMPOUND AND PLATINUM GROUP METAL SEPARATION/COLLECTION USING THE SA...