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Title:
半導体装置及びその制御方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012081237
Kind Code:
A1
Abstract:
双方向に電流を流すことができる半導体素子(100)を備える半導体装置(10)であって、半導体素子(100)は、一対の第1オーミック電極(104a)及び第2オーミック電極(104b)と、一対の第1ゲート電極(105a)及び第2ゲート電極(105b)とを備え、半導体装置(10)は、さらに、半導体素子(100)を導通状態にする制御部(120)を備え、制御部(120)は、半導体素子(100)が導通状態である場合、高電位側のオーミック電極を基準とした場合の電位であって、高電位側のオーミック電極に対応する高電位側ゲート電極の電位が、低電位側のオーミック電極を基準とした場合の電位であって、低電位側のオーミック電極に対応する低電位側ゲート電極の電位より低くなるように、高電位側ゲート電極に第1電気信号を供給し、かつ、低電位側ゲート電極に第2電気信号を供給する。

Inventors:
山際 優人
柳原 学
橋詰 真吾
井腰 文智
Application Number:
JP2012548654A
Publication Date:
May 22, 2014
Filing Date:
December 13, 2011
Export Citation:
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Assignee:
パナソニック株式会社
International Classes:
H01L29/808; H01L21/336; H01L21/337; H01L21/338; H01L27/098; H01L29/78; H01L29/812
Attorney, Agent or Firm:
新居 広守