Title:
芳香族炭化水素樹脂、リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターンの形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2012090408
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体用のコーティング剤やレジスト用樹脂として使用できる炭素濃度が高く、酸素濃度が低い芳香族炭化水素樹脂を提供すること、及び多層レジストプロセス用下層膜として、エッチング耐性に優れるリソグラフィー用下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成された下層膜、及び該下層膜を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。芳香族炭化水素、芳香族アルデヒド、フェノール誘導体を酸性触媒の存在下で反応させ、炭素濃度が９０〜９９．９質量％と高く、かつ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートへの溶解度が１０質量％以上となる芳香族炭化水素樹脂を得ることを特徴とする。
Inventors:
Touhara Go
Naoya Uchiyama
Echigo Masatoshi
Naoya Uchiyama
Echigo Masatoshi
Application Number:
JP2012550696A
Publication Date:
June 05, 2014
Filing Date:
December 14, 2011
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
International Classes:
C08G14/04; G03F7/11; G03F7/26; H01L21/027
Domestic Patent References:
| JPH05132542A | 1993-05-28 | |||
| JP2008292677A | 2008-12-04 | |||
| JP2012118300A | 2012-06-21 | |||
| JP2012098431A | 2012-05-24 | |||
| JP2010271654A | 2010-12-02 | |||
| JP2010122656A | 2010-06-03 |
Foreign References:
| WO2009069847A1 | 2009-06-04 |
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