Ｔｉ３ＳｉＣ２質材料、電極、スパークプラグ、及びその製造方法

Title:

Ｔｉ３ＳｉＣ２質材料、電極、スパークプラグ、及びその製造方法

Document Type and Number:

Japanese Patent JPWO2012102348

Kind Code:

A1

Abstract:

耐アーク性に優れたＴｉ３ＳｉＣ２質材料、電極、スパークプラグ、及びその製造方法を提供する。本発明のＴｉ３ＳｉＣ２質材料は、主相がＴｉ３ＳｉＣ２であり、ＴｉＣ含有率が０．５質量％以下、開気孔率が０．５％以下である。主相のＴｉ３ＳｉＣ２のＳｉを、Ａｌに０〜３０ｍｏｌ％置換することも好ましい。本発明のスパークプラグは、Ｔｉ３ＳｉＣ２質材料によって形成された電極を備える。

Inventors:

Tetsuya Hattori
Takafumi Kimata
Yoshimasa Kobayashi

Application Number:

JP2012554843A

Publication Date:

June 30, 2014

Filing Date:

January 26, 2012

Export Citation:

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Assignee:

Nippon Insulator Co., Ltd.

International Classes:

C04B35/56; C01B31/30; H01T13/20; H01T13/39; H01T21/02

Domestic Patent References:

JP2005089252A	2005-04-07
JP2011088804A	2011-05-06
JP2004107152A	2004-04-08
JP2003002745A	2003-01-08

Foreign References:

WO1997018162A1	1997-05-22
US20100052498A1	2010-03-04
WO2007093011A1	2007-08-23
CN1552662A	2004-12-08

Other References:

ROBERTO ORRU` ET AL.: "Consolidation/synthesis of materials by electric current activated/assisted sintering", MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING R, JPN6016014678, 2009, pages 127 - 287, XP025914673, ISSN: 0003301874, DOI: 10.1016/j.mser.2008.09.003
SOWMYA ARUNAJATESAN ET AL.: "Synthesis of Titanium Silicon Carbide", JOURNAL OF AMERICAN CERAMIC SOCIETY, vol. 78, no. 3, JPN6016014680, 1995, pages 667 - 672, XP001147116, ISSN: 0003496376, DOI: 10.1111/j.1151-2916.1995.tb08230.x
B.Y.LIANG: "Effect of alloying time on fabrication of Ti3Si(Al)C2 by spark plasma sintering", ADVANCES IN APPLIED CERAMICS, vol. Volume 108, Number 3, JPN6012009104, 1 April 2009 (2009-04-01), GB, pages 162 - 166, ISSN: 0003496377

Attorney, Agent or Firm:

Ippei Watanabe
Koji Kikawa
Hiroyuki Sato
Shigeru Koike

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